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Polar TM HiPerFET TM
Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode
IXFR40N90P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
<
<
900V
21A
250m Ω
300ns
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Rectifier
ISOPLUS247
E153432
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
900
900
V
V
V GSS
V GSM
Continuous
Transient
± 30
± 40
V
V
G
D
S
Isolated Tab
I D25
T C = 25 ° C
21
A
I DM
I A
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
80
20
A
A
G = Gate
S = Source
D
= Drain
E AS
dv/dt
P D
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
2.5
15
300
J
V/ns
W
T J
T JM
-55 to +150
150
° C
° C
Features
T stg
T L
T SOLD
V ISOL
F C
Weight
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
50/60 Hz, 1 Minute
Mounting Force
-55 to +150
300
260
2500
20..120/4.5..27
5
° C
° C
° C
V ~
N/lb.
g
Silicon Chip on Direct-Copper Bond
(DCB) Substrate
Isolated Mounting Surface
2500V~ Electrical Isolation
Low R DS(on) and Q G
Avalanche Rated
Low Package Inductance
Fast Intrinsic Rectifier
Advantages
High Power Density
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Easy to Mount
Space Savings
BV DSS
V GS = 0V, I D = 3mA
900
V
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 1mA
3.5
6.5
V
Applications
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = ± 30V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
V GS = 10V, I D = 20A, Note 1
T J = 125 ° C
± 200 nA
50 μ A
3.5 mA
250 m Ω
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
DC-DC Converters
Laser Drivers
AC and DC Motor Drives
Robotics and Servo Controls
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100063A(10/11)
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